IBM成功开发22纳米SRAM

　　IBM与其合作研发伙伴AMD、Freescale、ST、Toshiba，以及Nanoscale Science and Engineering学院(CNSE)宣布，已经成功开发出首款采用22纳米制程技术的SRAM单元，该内存单元是在位于美国纽约州Albany的CNSE所属12吋晶圆厂所制造。

　　SRAM是高性能内存与复杂的逻辑电路如微处理器的基本功能区块，IBM所研发的22纳米SRAM单元利用了传统的6晶体管设计架构，其面积仅有0.1平方微米。目前最先进的商用半导体制程为45纳米，IBM与其伙伴目前正在开发32纳米high-k金属闸技术。

　　IBM的研发联盟的研究人员是透过最佳化了SRAM单元的设计以及电路布局，并藉由改善其稳定度并开发数种制程技术，来制造新一代的SRAM单元。研究人员并利用了high-NA浸润式微影技术来进行尺寸细微且高密度的的图案印制。